4N100L-TF1-T دیتاشیت

4N100L-TF1-T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 4N100L-TF1-T
حجم فایل 58.782 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت 4N100L-TF1-T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: UTC(Unisonic Tech) 4N100L-TF1-T
  • Power Dissipation (Pd): 38W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 1kV
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F-1
  • Manufacturer: UTC(Unisonic Tech)

محصولات مشابه